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专利名称：一种硅通孔的电迁移测试结构专利类型：实用新型专利发明人：陈芳
申请号：CN201620066266.0申请日：20160122公开号：CN205542717U公开日：20160831
摘要：本实用新型提供一种硅通孔的电迁移测试结构，包括：通过底层金属连接的第一硅通孔及第二硅通孔，所述第一硅通孔及所述第二硅通孔的上端分别连接第一测试端及第二测试端，所述第一硅通孔及所述第二硅通孔通过所述底层金属与一温度传感器相连。本实用新型的硅通孔的电迁移测试结构在原有测试结构的基础上增加温度传感器，以此感知大电流产生的焦耳热，并据此调节电迁移测试的温度环境，进而避免焦耳热效应对测试结构的影响，提高硅通孔电迁移测试的准确性和半导体产品的良率。
申请人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：100176 北京市大兴区经济技术开发区(亦庄)文昌大道18号
国籍：CN
代理机构：上海光华专利事务所
代理人：余明伟
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