第３４卷第１期 ２０１５年３月 中南民族大学学报（自然科学版） Ｊｏｕｍａｌ ｏｆ Ｓｏｕｔｈ－Ｃｅｎｔｒａｌ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｆｏｒ Ｎａｔｉｏｎａｌｉｔｉｅｓ（Ｎａｔ．Ｓｃｉ．Ｅｄｉｔｉｏｎ） Ｖｏ１．３４ Ｎｏ．１ Ｍａｒ．２０ｌ５ Ｗｉｄｅｂａｎｄ Ｄｕａｌ Ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎｓ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｓｉｎｇｌｅ Ｍｏｄｅ Ｓｌｏｔ Ｗａｖｅｇｕｉｄｅ Ｈｏｕ Ｊｉｎ，Ｌｉ Ｂｏｙａ，Ｗａｎｇ Ｌｉｎｚｈｉ， Ｃｈｕｎｙｏｎｇ ，Ｚｈｏｎｇ Ｚｈｉｙｏｕ，Ｃｈｅｎ Ｓｈａｏｐｉｎｇ （Ｈｕｂｅｉ Ｋｅｙ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ ｏｆ Ｉｎｔｅｌｌｉｇｅｎｔ Ｗｉｒｅｌｅｓｓ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ，Ｃｏｌｌｅｇｅ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ａｎｄ Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｓｏｕｔｈ—Ｃｅｎｔｒａｌ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｆｏｒ Ｎａｔｉｏｎａｌｉｔｉｅｓ，Ｗｕｈａｎ ４３００７４，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ Ｗｉｄｅｂａｎｄ ｄｕａｌ ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎｓ ｓｉｎｇｌｅ ｍｏｄｅ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ ｏｆ ｓｉｌｉｃｏｎ ｓｌｏｔ ｗａｖｅｇｕｉｄｅ ｉｓ ｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｅｄ ｂｙ ｔｈｒｅｅ ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ ｐｌａｎｅ—ｗａｖｅ ｅｘｐａｎｓｉｏｎ ｍｅｔｈｏｄ ａｎｄ ｔｈｒｅｅ ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ ｆｉｎｉｔｅ ｄｉｆｆｅｒｅｎｃｅ ｔｉｍｅ ｄｏｍａｉｎ ｍｅｔｈｏｄ．Ｂｙ ｔｕｎｉｎｇ ｔｈｅ ｗｉｄｔｈ ｏｆ ｔｈｅ ｓｕｒｒｏｕｎｄｉｎｇ ｓｉｌｉｃｏｎ ｒｅｇｉｏｎ ｏｆ ｔｈｅ ｓｌｏｔ ｗａｖｅｇｕｉｄｅｓ，３２０．６ ｎｍ ｗｉｄｅ ｂａｎｄｗｉｄｔｈ ｆｏｒ ｂｏｔｈ ｑｕａｓｉ—ＴＥ ａｎｄ ｑｕａｓｉ—ＴＭ ｍｏｄｅｓ ｃａｎ ｂｅ ｏｂｔａｉｎｅｄ ｉｎ ａｌｌ ｏｐｔｉｍｉｚｅｄ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ，ａｎｄ ｅｌｅｃｔｉｃ ｆｒｉｅｌｄ ｅｎｈａｎｃｅｄ ｉｎ ｔｈｅ ｌｏｗ ｉｎｄｅｘ ｓｌｏｔ ｚｏｎｅ ｆｏｒ ｑｕａｓｉ—ＴＥ ｆｕｎｄａｍｅｎｔｌ ａｍｏｄｅｓ ｉｓ ａｌｓｏ ｏｂｓｅｒｖｅｄ ｆｏｒ ｔｈｅ ｗｈｏｌｅ ｂａｎｄｗｉｄｔｈ．Ｔｈｅ ｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎ ｐｒｏｐｏｓｅｄ ｉｎ ｔｈｉｓ ｐａｐｅｒ ｗｏｕｌｄ ｂｅ ｓｅｒｖｅｄ ａｓ ａ ｂａｓｉｓ ｆｏｒ ｄｅｓｉｇｎｉｎｇ ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ ｒｅｌａｔｅｄ ｓｉｌｉｃｏｎ ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ ｄｅｖｉｃｅｓ． Ｋｅｙｗｏｒｄｓ ｗｉｄｅｂａｎｄ；ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ；ｓｌｏｔ ｗａｖｅｇｕｉｄｅ 中图分类号ＴＮ２５２；ＴＮ０１２文献标识码Ａ文章编号１６７２－４３２１（２０１５）０１－００７９－０４ 硅基宽带双偏振单模狭缝波导 侯金，李博雅，王林枝，杨春勇，钟志有，陈少平 （中南民族大学电子信息工程学院，智能无线通信湖北省重点实验室，武汉４３００７４） 摘要采用三维平面波法和三维有限时域差分法，研究了硅基单模狭缝波导的双偏振特性．通过调节狭缝波导 中硅介质的宽度，获得了宽达３２０．６ ｎｍ的双偏振带宽；并且发现在该带宽范围内，准ＴＥ模式的电场强度在狭缝中 均具有增强效果，并且狭缝中光因子均大于６０％．该研究结果可为设计其他与偏振相关的硅光子器件提供 参考． 关键词宽带；偏振；狭缝波导 ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ ａｒｅ ｎｅｅｄｅｄ［ ， Ａｌｔｈｏｕｇｈ ｇｒｅａｔ ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｓｉｌｉｃｏｎ ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ ｂｕｉｌｔ ｏｎ ａ ｓｉｌｉｃｏｎ—ｏｎ—ｉｎｓｕｌａｔｏｒ（ＳＯＩ） ｐｌａｔｆｏｒｍ ｈａｓ ｅｎａｂｌｅｄ ＵＳ ｔｏ ｆａｂｒｉｃａｔｅ ｕｌｔｒａｃｏｍｐａｃｔ ｏｐｔｉｃａｌ ｗａｖｅｇｕｉｄｅｓ ａｎｄ ｏｐｔｉｃａｌ ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ ｌｊＲｅｃｅｎｔｌｙ，ａ ｎｅｗ ｋｉｎｄ ｏｆ ．．ｐｒｏｇｒｅｓｓｅｓ ａｓｓｏｃｉａｔｅｄ ｗｉｔｈ ｂａｎｄｗｉｄｔｈ ａｎｄ ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ ｈａｖｅ ｂｅｅｎ ａｃｈｉｅｖｅｄ ｉｎ ｄｅｖｉｃｅｓ ｂａｓｅｄ ｏｎ ｃｏｎｖｅｎｔｉｏｎａｌ ｓｔｉｐ ｗａｖｅｇｕｉｄｅ ７ｒ Ｊ ａｎｄ ｐｈｏｔｏｎｉｃ ｃｒｙｓｔａｌ ｗａｖｅｇｕｉｄｅ［１０＇ ．ｓｉｌｉｃｏｎ ｗａｖｅｇｕｉｄｅ，ｓｉｌｉｃｏｎ ｓｌｏｔ ｗａｖｅｇｕｉｄｅ，ｗｈｉｃｈ ｃａｎ ｃｏｎｆｉｎｅ ａｎｄ ｅｎｈａｎｃｅ ｌｉｇｈｔ ｉｎ ａ ｌｏｗ—ｉｎｄｅｘ ｓｌｏｔ，ｈａｓ ａｔｔｒａｃｔｅｄ ｇｒｅａｔ ａｔｔｅｎｔｉｏｎｓ［ ＇ ．ｄｕｅ ｔｏ ｔｈｅ ｌａｒｇｅ ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ ｄｉｖｅｒｇｅｎｃｅ ｉｎ ｔｈｅ ｓｌｏｔ ｗａｖｅｇｕｉｄｅｓ，ｏｎｌｙ ｆｅｗ ｄｅｖｉｃｅｓ ｂａｓｅｄ ｏｎ ｓｌｏｔ ｗａｖｅｇｕｉｄｅ ｔａｋｅ ｔｈｅ ｉｓｓｕｅｓ ｉｎｔｏ ｃｏｎｓｉｄｅｒａｔｉｏｎ［ ．Ｍａｋｉｎｇ ｕｓｅ ｏｆ ｔｈｉｓ ｆｅａｔｕｒｅ，ａ ｌｏｔ ｏｆ ｈｉｇｈ Ａｎｄ ｔｉ１ｌ ｎｏｗ． ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｏｐｔｉｃａｌ ｄｅｖｉｃｅｓ ｈａｖｅ ｂｅｅｎ ｄｅｖｅｌｏｐｅｄ，ｓｕｃｈ ａｓ ｗｉｄｅｂａｎｄ ｄｕａｌ ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎｓ ｓｌｏｔ ｗａｖｅｇｕｉｄｅ，ｗｈｉｃｈ ｓｅｒｖｅｓ ａｓ ａ ｂａｓｉｓ ｆｏｒ ｄｉｖｅｒｓｉｔｙ ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ ｓｌｏｔ ｄｅｖｉｃｅｓ，ｉｓ ｎｏｔ ｗｅｌｌ ｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｅｄ． ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ ｄｅｍｕｈｉｐｌｅｘｅｒ［３］，ｓｅｎｓｏｒ［ ， ，ｏｐｔｉｃａｌ ｍｏｄｕｌａｔｏｒ［ ， ．ｄｉｒｅｃｔｉｏｎａｌ ｃｏｕｐｌｅｒ［ ］ａｎｄ ｍｕｈｉｍｏｄｅ ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ ｓｐｌｉｔｔｅｒ［ Ｆｏｒ ｍｏｓｔ ｏｐｔｉｃａｌ ｄｅｖｉｃｅｓ，ｂａｎｄｗｉｄｔｈ ａｎｄ／ｏｒ ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ ａｒｅ ｅｓｓｅｎｔｉａｌ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ ｔｏ ｂｅ ｃｏｎｓｉｄｅｒｅｄ ．Ｔｏ ｂｅ ｐｏｗｅｒｆｕｌ， Ｔｏ ｓｏｌｖｅ ｔｈｅ ｐｒｏｂｌｅｍ，ｗｉｄｅｂａｎｄ ｄｕａｌ ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎｓ ｓｉｎｇｌｅ ｍｏｄｅ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ ｉｎ ｓｉｌｉｃｏｎ ｓｌｏｔ ｗａｖｅｇｕｉｄｅ ｉｓ ｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｅｄ ｂｙ ｓｏｍｅｔｉｍｅｓ ｄｅｖｉｃｅｓ ｈａｖｉｎｇ ｂｏｔｈ ｗｉｄｅｂａｎｄ ａｎｄ ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ ｔｈｒｅｅ ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ ｐｌａｎｅ．ｗａｖｅ ｅｘｐａｎｓｉｏｎ ｍｅｔｈｏｄ（ＰＷＥＭ） ４—１２．２９ 收稿日期 ２０１ｓｃｕｅｃ．ｅｄｕ．ｃａ 通讯作者杨春勇（１９７５一），男，教授，研究方向：光传感与光通信技术，Ｅ—ｍａｉｌ：Ｃｙｙａｎｇ＠ｍａｉｌ 作者简介 侯金（１９８１一），男，副教授，研究方向：光通信与光器件，Ｅ—ｍａｉｌ：ｈｏｕｊｉｎ＠ｍａｉｌ．ｓｃｕｅｃ．ｅｄｕ．ａｎ 基金项目 国家自然科学基金资助项目（１ １ １４７０１４＆１ １４９１２４０１０５）；湖北省自然科学基金资助项目（２０１３ＣＦＡ０５２） ８０ 中南民族大学学报（自然科学版） 第３４卷 ａｎｄ ｔｈｒｅｅ ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ ｆｉｎｉｔｅ ｄｉｆｅｒｅｎｃｅ ｔｉｍｅ ｄｏｍａｉｎ ｍｅｔｈｏｄ ｍｏｄｅｓ．Ｆｒｏｍ ｔｈｅ ｆｉｕｒｅ，ｂｅｌｇｏｗ ｔｈｅ ＳｉＯ２ ｌｉｇｈｔ ｌｉｎｅ，ｔｈｅ ｂａｎｄ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ ｏｂｔａｉｎｅｄ ｂｙ ｔｈｅ ｔｗｏ ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ ｍｅｔｈｏｄｓ ｌｏｏｋ ａｐｐｒｏｘｉｍａｔｅｌｙ ｔｈｅ ｓａｍｅ ｉｎ ａｌｍｏｓｔ ａｌｌ ｔｈｅ ｐａｒｔ ｅｘｃｅｐｔ ａ ｌｉｔｔｌｅ ｄｉｓｃｒｅｐａｎｃｙ ｆｏｒ ｔｈｅ ｆｕｎｄａｍｅｎｔａｌ ｍｏｄｅｓ ｎｅａｒ ｔｈｅ ｓｉｌｉｃａ ｌｉｇｈｔ ｌｉｎｅ， ｗｈｉｃｈ ｗｏｕｌｄ ｂｅ ｄｕｅ ｔｏ ｔｈｅ ｉｎｅｘａｃｔｌｙ ｌｅａｋｙ ｍｏｄｅｓ ｅｘｔｒａｃｔｉｏｎ ｉｎ ＦＤＴＤ．Ｔｈｅｒｅｆｏｒｅ，ｗｅ ｃａｎ ｃｏｎｃｌｕｄｅ ｔｈａｔ，ｆｏｒ ｍｏｓｔ ｏｆ ｔｈｅ ｔｉｍｅ， （ＦＤＴＤ）［１３ ３ ｉｎ ｔｈｉｓ ｐａｐｅｒ．Ｆｉｒｓｔｌｙ，ｔｈｅ ｒｅｓｕｌｔｓ ｏｂｔａｉｎｅｄ ｂｙ ＰＷＥＭ ａｎｄ ＦＤＴＤ ａｒｅ ｃｏｍｐａｒｅｄ ｔｏ ｆｉｎｄ ｗｈｉｃｈ ｍｅｔｈｏｄｓ ａｒｅ ｍｏｒｅ ｅｆｆｉｃｉｅｎｔｌｙ ｆｏｒ ｔｈｅ ａｎａｌｙｓｉｓ．Ｔｈｅｎ，ｏｐｔｉｍｉｚｉｎｇ ｉｓ ｄｏｎｅ ｂｙ ＰＷＥＭ ｔｏ ｏｂｔａｉｎ ａ ｗｉｄｅ ｓｉｎｇｌｅ ｍｏｄｅ ｂａｎｄｗｉｄｔｈ ｆｏｒ ｂｏｔｈ ｑｕａｓｉ－ＴＥ ａｎｄ ｑｕａｓｉ—ＴＭ １ ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎｓ．Ｔｈｒｏｕｇｈ ａｄｊｕｓｔｉｎｇ ｔｈｅ ｗｉｄｔｈ ｏｆ ｔｈｅ ｓｕｒｒｏｕｎｄｉｎｇ ｓｉｌｉｃｏｎ ｒｅｇｉｏｎ ｏｆ ｔｈｅ ｓｌｏｔ ｗａｖｅｇｕｉｄｅｓ，３２０．６ ｎｍ ｗｉｄｅ ｓｉｎｇｌｅ ｍｏｄｅ ｂａｎｄｗｉｄｔｈ ｆｏｒ ｄｕａｌ ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎｓ ｉｓ ｏｂｔａｉｎｅｄ ｉｎ ａｎ ｏｐｔｉｍｉｚｅｄ ｓｌｏｔ ｗａｖｅｇｕｉｄｅ．Ｆｉｎａｌｌｙ，ｎｏｒｍａｌｉｚｅｄ ｆｉｌｅｄ ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎｓ ａｎｄ ｔｈｅ ｏｐｔｉｃａｌ ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ￣ｃｔｏｒｓ ｏｆ ｔｈｅ ｓｌｏｔ ｗａｖｅｇｕｉｄｅｓ ａｒｅ ｄｉｓｔｉｎｇｕｉｓｈｅｄ ａｎｄ ｃａｌｃｕｌａｔｅｄ，ｗｈｉｃｈ ｄｅｍｏｎｓｔｒａｔｅ ｔｈａｔ ｔｈｅ ｅｌｅｃｔｉｒｃ ｉｆｅｌｄ ｅｎｈａｎｃｅｄ ｉｎ ｔｈｅ ｌｏｗ ｉｎｄｅｘ ｓｌｏｔ ｚｏｎｅ ｆｏｒ ｑｕａｓｉ—ＴＥ ｆｕｎｄａｍｅｎｔａｌ ｍｏｄｅｓ ｉｓ ｓｔｉｌ】ｍａｉｎｔａｉｎｅｄ ｉｎ ｔｈｅ ｗｈｏｌｅ ｂａｎｄｗｉｄｔｈ． ， Ｆｉｇ．１ Ｃｒｏｓｓ ｓｅｃｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｅ ｓｉｌｉｃｏｎ ｓｌｏｔ ｗａｖｅｇｕｉｄｅ 图１ 狭缝波导的截面示意图 Ａｓ ｓｈｏｗｎ ｉｎ Ｆｉｇ．１，ａ ｓｉｌｉｃｏｎ—ｏｎ—ｉｎｓｕｌａｔｏｒ（ＳＯ１）ｗａｆｅｒ ｉｓ ｕｓｅｄ ａｓ ａ ｂａｓｉｓ ｆｏｒ ｄｅｓｉｇｎ ｏｆ ｔｈｅ ｗｉｄｅｂａｎｄ ｄｕａｌ ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎｓ ｓｉｌｉｃｏｎ ｓｉｎｇｌｅ ｍｏｄｅ ｓｌｏｔ ｗａｖｅｇｕｉｄｅ．Ｔｈｅ ｒｅｆｒａｃｔｉｖｅ ｉｎｄｅｘ ｏｆ ＳｉＯ２ ｉｓ ａｓｓｕｍｅｄ ｔｏ ｂｅ １．４５．Ｉｎ ｔｈｅ ｓｉｌｉｃｏｎ ｌａｙｅｒ，ａ ｌｏｗ—ｒｅｆｒａｃｔｉｖｅ— ｉｎｄｅｘ ａｉｒ ｓｌｏｔ ｉｓ ｓａｎｄｗｉｃｈｅｄ ｂｅｔｗｅｅｎ ｔｗｏ ｈｉｇｈ ｒｅｆｒａｃｔｉｖｅ－ｉｎｄｅｘ ｓｉｌｉｃｏｎ ｒｅｇｉｏｎｓ，ｉｎ ｗｈｉｃｈ ｔｈｅ ｌｉｇｈｔ ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ ｃａｌｌ ｂｅ ｅｎｈａｎｃｅｄ ｄｕｅ ｔｏ ｔｈｅ ｌａｒｇｅ ｄｉｓｃｏｎｔｉｎｕｉｔｙ ｏｆ ｔｈｅ ｅｌｅｃｔｒｉｃ ｐｅｒｍｉｔｔｉｖｉｔｙ ａｔ ｈｉｇｈ ｉｎｄｅｘ— ｃ０ｎｔｒａｓｔ ｉｎｔｅｒｆａｃｅｓ［ ］．Ｔｈｅ ｒｅｆｒａｃｔｉｖｅ ｉｎｄｅｘ ０ｆ ｓｉｌｉｃ０ｎ ｉｓ ａｓｓｕｎ１ｅｄ ｔｏ ｂｅ ３．４５ ａｎｄ ｔｈａｔ ｏｆ ａｉｒ ｉｓ ｕｎｉｔｙ．Ｔｈｅ ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ ｏｆ ｔｈｅ ｓｉｌｉｃｏｎ ｌａｙｅｒ ｉｓ ｄｅｎｏｔｅｄ ａｓ Ｈ ａｎｄ ｆｉｘｅｄ ｗｉｔｈ ａｎ ｕｎｃｈａｎｇｅｄ ｖａｌｕｅ ｏｆ ０．８ａ．ｗｈｅｒｅ ｉｓ ａ ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ ｕｎｉｔ ｃｏｎｓｔａｎｔ．Ｔｈｅ ｗｉｄｔｈ ｏｆ ｔｈｅ ｓｌｏｔ ｉｓ ｄｅｎｏｔｅｄ ａｓ ｎａｄ ｈａｓ ａ ｆｉｘｅｄ ｖａｌｕｅ ｏｆ ０．２ａ．Ｔｈｅ ｖａｌｕｅ ｉｓ ｃｈｏｓｅｎ ｔｈｒｏｕｇｈ ａ ｐｒｅｌｉｍｉｎａｒｙ ｏｐｔｉｍｉｚｉｎｇ ｏｆ ｔｈｅ ｓｌｏｔ ｗｉｄｔｈ ｂａｓｅｄ ｏｎ ａ ｐｒｅｖｉｏｕｓｌｙ ｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎ，ｗｈｉｃｈ ｗｏｕｌｄ ｓｕｐｐｏｒｔ ｅｌｅｃｔｉｒｃ ｆｉｅｌｄ ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ ｉｎ ｔｈｅ ｌｏｗ ｉｎｄｅｘ ｓｌｏｔ ｚｏｎｅ ｏｆ ｔｈｅ ｗａｖｅｇｕｉｄｅ［ ．Ａｎｄ ｔｈｅ ｗｉｄｔｈ ｆｏｒ ｔｈｅ ｈｉｇｈ—ｉｎｄｅｘ ｓｉｌｉｃｏｎ ｒｅｇｉｏｎ ｏｎ ｔｈｅ ｓｉｄｅｓ ｉｓ ｄｅｎｏｔｅｄ ａｓ Ｗｎ． Ｉｎ ｏｒｄｅｒ ｔｏ ｏｂｔａｉｎ ｗｉｄｅｂａｎｄ ｄｕａｌ ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ， ｔｈｅ ｄｉｓｐｅｒｓｉｏｎ ｃｕｒｖｅｓ ｏｆ ｔｈｅ ｓｌｏｔ ｗａｖｅｇｕｉｄｅｓ ａｒｅ ｆｉｒｓｔｌｙ ｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｅｄ．Ｆｉｇ．２ ｓｈｏｗｓ ｔｈｅ ｂａｎｄ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ ｏｆ ａ ｔｙｐｉｃａｌ ｓｌｏｔ ｗａｖｅｇｕｉｄｅ ｗｉｔｈ Ｗｎ ０．７５ａ．Ｔｈｅ ｂｌｕｅ ｈｏｌｌｏｗ ｓｑｕａｒｅ ｃｕｒｖｅｓ ａｎｄ ｔｈｅ ｒｅｄ ｈｏｌｌｏｗ ｔｉｒａｎｇｌｅ ｃｕｒｖｅｓ ｄｅｎｏｔｅ ｔｈｅ ｑｕａｓｉ—ＴＭ ｂａｎｄｓ ａｎｄ ｔｈｅ ｑｕａｓｉ—ＴＥ ｂａｎｄｓ ｒｅｓｐｅｃｔｉｖｅｌｙ，ｗｈｉｃｈ ａｒｅ ｃａｌｃｕｌａｔｅｄ ｂｙ ＰＷＥＭ． Ａｎｄ ｔｈｅ ｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇ ｃｏｍｐｕｔａｔｉｏｎａｌ ｒｅｓｕｌｔｓ ｏｂｔａｉｎｅｄ ｂｙ ＦＤＴＤ ｏｆｒ ｔｈｅ ｔｗｏ ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎｓ ａｒｅ ｄｅｎｏｔｅｄ ａｓ ｇｒｅｅｎ ｈｏｌｌｏｗ ｃｉｒｃｌｅ ｃｕｒｖｅｓ ｎａｄ ｐｉｎ ｄｏｔ ｃｕｒｖｅｓ，ｒｅｓｐｅｃｔｉｖｅｌｙ．Ｔｈｅ ｂｌａｃｋ ｓｏｌｉｄ ｌｉｎｅ ｄｅｎｏｔｅｓ ｔｈｅ ｌｉｇｈｔ ｌｉｎｅ ｆｏｒ ＳｉＯ２，ａｂｏｖｅ ｗｈｉｃｈ ｔｈｅ ｍｏｄｅｓ ｗｏｕｌｄ ｂｅ ｌｅａｋｙ ｔｏ ｔｈｅ ｓｉｌｉｃａ ｌａｙｅｒ．Ｓｏ ｉｔ ｒｅｓｔｒｉｃｔｓ ｔｈｅ ｕｐｗａｒｄ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｆｏｒ ｇｕｉｄｅｄ ｔｈｅ ｔｗｏ ｍｅｔｈｏｄｓ ａｒｅ ｍａｔｃｈｅｄ ｖｅｒｙ ｗｅｌ１．Ｃｏｎｓｉｄｅｒｉｎｇ ｔｈａｔ， ｃａｌｃｕｌａｔｉｎｇ ｍｏｄｅｓ ｆｏｒ ａ ｓｌｏｔ ｗａｖｅｇｕｉｄｅ ｂｙ ｔｈｒｅｅ ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ ＦＤＴＤ ｓｐｅｎｄｓ ｍｕｃｈ ｍｏｒｅ ｔｉｍｅ ｔｈａｎ ｔｈａｔ ｂｙ ｔｈｒｅｅ ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ ＰＷＥＭ．Ｓｏ，ＰＷＥＭ ｉｓ ｍｏｒｅ ｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ａｎｄ ｔｈｕｓ ｉｓ ｃｈｏｓｅｎ ｔｏ ｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｅ ｔｈｅ ｄｕａｌ ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎｓ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ． Ｔｏ ｗｉｄｅｎ ｔｈｅ ｄｕａｌ ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎｓ ｂａｎｄｗｉｄｔｈ ｏｆ ｔｈｅ ｓｉｌｉｃｏｎ ｓｉｎｇｌｅ ｍｏｄｅ ｓｌｏｔ ｗａｖｅｇｕｉｄｅ，ｔｈｅ ｗｉｄｔｈ ｏｆ ｔｈｅ ｈｉｇｈ－ｉｎｄｅｘ ｓｉｌｉｃｏｎ ｒｅ，ｏｎ ｉｓ ｔｉａｌｏｒｅｄ ｗｈｉｌｅ ｏｔｈｅｒ ｐａｒａｍｅｔｅｍ ａｒｅ ｒｅｍａｉｎｉｎｇ．Ｗｅ ｓｔａｒｔ ｆｒｏｍ ａ ｖｅｒｙ ｓｍａｌｌ ｗｉｄｔｈ ｖａｌｕｅ ｏｆ ｗｉｔｈ，ｗｈｉｃｈ ｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄｓ ｔｏ １５０ ｎｍ ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ ｃｅｎｔｅｒｅｄ ａｔ １５５０ ｎｍ．Ａｓ ｓｈｏｗｎ ｉｎ Ｆｉｇ．２，ＷＨ ｉｓ ｔｕｎｅｄ ｆｒｏｍ １５０ ｎｍ ｔｏ ３００ ｎｍ．Ｗｈｅｎ ＷＨ ｉｓ ｉｎｃｒｅａｓｅｄ，ｔｈｅ ｄｕａｌ ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎｓ ｂａｎｄｗｉｄｔｈ ｃｅｎｔｅｒｅｄ ａｔ １５５０ ｎｍ ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ ｏｆ ｔｈｅ ｓｌｏｔ ｗａｖｅｇｕｉｄｅ ｗｉｌｌ ｆｉｓｒｔｌｙ ｉｎｃｒｅａｓｅ ａｃｃｏｒｄｉｎｇｌｙ． ｉ 《 ｊ》－ Ａｎｄ ｗｈｅｎ ｒｅａｃｈｅｓ ａｒｏｕｎｄ ２３５ ｎｍ，ｔｈｅ ｂａｎｄｗｉｄｔｈ ｇｅｔｓ ｔｏ ｉｔｓ ｍ￣ｉｍｕｍ．Ａｆｔｅｒ ｔｈａｔ，ｆｕｒｔｈｅｒ ｉｎｃｒｅａｓｉｎｇ ｏｆ ｗｉｌｌ ｍａｋｅ ｔｈｅ ｄｕａｌ ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎｓ ｂａｎｄｗｉｄｔｈ ｎａｒｒｏｗｅｒ．Ｔｈｕｓ．ａ ｓｕｉｔａｂｌｅ ｖａｌｕｅ ｏｆ ｆｏｒ ａ ｍ￣ｉｍｕｍ ｄｕａｌ ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎｓ ｂａｎｄｗｉｄｔｈ ｓｈｏｕｌｄ ｂｅ ｃｈｏｓｅ玎． Ｗｓｖｅ，ｖｅｃｔｏｒ／（２￣．／ａ） Ｆｉｇ．２ Ｂａｎｄ ｓｔｍｃｔｕｒｅｓ ｏｆ ｔｈｅ ｓｌｏｔ ｗａｖｅｇｕｉｄｅ ｏｂｔａｉｎｅｄ ｂｙ ｔｈｅ ＰＷＥＭ ａｎｄ ｔｈｅ ＦＤＴＤ，ｒｅｓｐｅｃｔｉｖｅｌｙ．Ｔｈｅ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ ｏｆ ｔｈｅ ｓｌｏｔ ｗａｖｅｇｕｉｄｅ ａｒｅ ｗｉｔｈ Ｗｓ Ｏ．２ａ ａｎｄ ＝０．７５ａ 图２狭缝波导的能带曲线图 Ｆｉｇ．２ ｓｈｏｗｓ ｔｈｅ ｂａｎｄ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｏｆ ｔｈｅ ｓｌｏｔ ｗａｖｅｇｕｉｄｅ ｗｉｔｈ ｔｈｅ ｏｐｔｉｍｉｚｅｄ ｍ￣ｉｍｕｍ ｄｕａｌ ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎｓ ｂａｎｄｗｉｄｔｈ．Ｔｈｅ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ ａｒｅ ｗｉｔｈ ＝０．２ａ， ＝０．７５ａ ａｎｄ Ｈ＝ ０．８ａ，ｗｈｉｃｈ ｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄ ｔｏ ＝６２．５ ｎｍ， ＝２３４．４ ｎｍ ａｎｄ Ｈ＝２５０ ｎｍ ｆｏｒ ａ ｃｅｎｔｅｒ ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ ｏｆ １５５０ ｎｍ．Ｉｎ Ｆｉｇ．２，ｔｈｅ ｌｉｇｈｔ ｇｒｅｅｎ ｒｅｇｉｏｎ ｄｅｎｏｔｅｓ ｔｈｅ ｂｏｒｄｅｒ ｎｏｍｒａｌｉｚｅｄ ｆｒｅｑｕｅｎｃｉｅｓ ｆｏｒ ｑｕａｓｉ—ＴＥ ａｎｄ ｑｕａｓｉ—ＴＭ ｆｕｎｄａｍｅｎｔａｌ ｍｏｄｅｓ，ｒｅｓｐｅｃｔｉｖｅｌｙ，ｗｈｉｃｈ ａｒｅ ｗｉｔｈ ｖａｌｕｅｓ ｏｆ ０．２４ ａｎｄ ０．１９５．Ｗｉｔｈｉｎ ｔｈｅ ｂａｎｄｗｉｄｔｈ ８２ 中南民族大学学报（自然科学版） 第３４卷 ｖ 卜 ｏ ｅ 卜・ Ｄ Ｆｉｇ．５ Ｏｐｔｉｃａｌ ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ ｆａｃｔｏｒ ｆｏｒ ｔｈｅ ｄｕａｌ ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ ｂａｎｄｗｉｄｔｈ ｏｆ ｔｈｅ ｏｐｔｉｍｉｚｅｄ ｓｌｏｔ ｗａｖｅｇｕｉｄｅ 图５优化狭缝波导中双偏振带宽内的光因子 Ｉｎ ｃｏｎｃｌｕｓｉｏｎ，ｗｉｄｅｂａｎｄ ｄｕａｌ ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎｓ ｓｉｎｇｌｅ ｍｏｄｅ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ ｉｎ ｓｉｌｉｃｏｎ ｓｌｏｔ ｗａｖｅｇｕｉｄｅ ｉｓ ｔｈｅｏｒｅｔｉｃａｌｌｙ ｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｅｄ．Ｉｎ ｏｒｄｅｒ ｔｏ ｏｂｔａｉｎ ａ ｗｉｄｅ ｄｕａｌ ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎｓ ｂａｎｄｗｉｄｔｈ，ｔｈｅ ｗｉｄｔｈ ｏｆ ｔｈｅ ｈｉｇｈ ｒｅｇｉｏｎ ｓｉｌｉｃｏｎ ｉｓ ｔａｉｌｏｒｅｄ．Ｆｒｏｍ ｏｕｒ ｔｈｒｅｅ ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａＸ ＰＷＥＭ ｃａｌｃｕｌａｔｉｏｎ ａｎｄ ｔｈｒｅｅ ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ ＦＤＴＤ ａｎａｌｙｓｉｓ．３２０．６ ｎｍ ｄｕａｌ ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎｓ ｂａｎｄｗｉｄｔｈ ｃａｎ ｂｅ ｏｂｔａｉｎｅｄ ｉｎ ａｎ ｏｐｔｉｍｉｚｅｄ ｓｌｏｔ ｗａｖｅｇｕｉｄｅ．Ｔｈｅ ｅｌｅｃｔｒｉｃ ｆｉｅｌｄ ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ ｉｎ ｔｈｅ ｌｏｗ ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ｓｌｏｔ ｚｏｎｅ ｉｓ ａｌｓｏ ｖｅｒｉｆｉｅｄ ｂｙ ｔｈｅ ｉｆｅｌｄ ｄｉｓｔｉｒｂｕｔｉｏｎ ａｎａｌｙｓｉｓ ａｎｄ ｔｈｅ ｏｐｔｉｃａｌ ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ ｆａｃｔｏｒ ｃｏｍｐｕｔａｔｉｏｎ ｉｎ ｔｈｅ ｓｌｏｔ ｗａｖｅｇｕｉｄｅ．Ｔｈｅ ｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎ ｗｏｕｌｄ ｂｅ ｕｓｅｄ ａｓ ａ ｂａｓｉｓ ｆｏｒ ｄｅｖｅｌｏｐｉｎｇ ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ ｒｅｌａｔｅｄ ｓｌｏｔ ｄｅｖｉｃｅｓ ｉｎ ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ ｄｉｖｅｒｓｉｔｙ ｓｙｓｔｅｍ，ｓｕｃｈ ａｓ ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ ｂｅｎｄｉｎｇ， ｃｏｕｐｌｅｒｓ，ｓｐｌｉｔｔｅｒｓ，ａｎｄ ｓｏ ｏｎ． Ａｃｋｎｏｗｌｅｄｇｍｅｎｔｓ Ｔｈｉｓ ｗｏｒｋ ｗａｓ ｐａｒｔｌｙ ｓｕｐｐｏｒｔｅｄ ｂｙ Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｎａｔｕｒａｌ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｆｏｕｎｄａｔｉｏｎ ｏｆ Ｃｈｉｎａ ｕｎｄｅｒ Ｇｒａｎｔ Ｎｏｓ． １ １ １４７０１４ ＆ ｌ１４９１２４０１０５．ｔｈｅ Ｎａｔｕｒａｌ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｆｏｕｎｄａｔｉｏｎ ｏｆ Ｈｕｂｅｉ Ｐｒｏｖｉｎｃｅ ｕｎｄｅｒ Ｇｒａｎｔ Ｎｏ．２０１３ＣＦＡ０５２．ａｎｄ ｔｈｅ Ｃｅｎｔｒａｌ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｉｅｓ Ｆｕｎｄａｍｅｎｔａｌ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｆｕｎｄｓ ｏｆ Ｓｏｕｔｈ．Ｃｅｎｔｒａｌ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｆｏｒ Ｎａｔｉｏｎａｌｉｔｉｅｓ ｕｎｄｅｒ Ｇｒａｎｔ Ｎｏ．ＣＺＷ】４０２０ Ｒｅｆｅｒｅｎｃｅｓ Ｔａｉ Ｔｓｕｃｈｉｚａｗａ，Ｋｏｊｉ Ｙａｍａｄａ，Ｈｉｒｏｓｈｉ Ｆｕｋｕｄａ，ｅｔ ａ１． Ｍｉｃｒｏｐｈｏｔｏｎｉｃ ｄｅｖｉｃｅ ｂａｓｅｄ ｏｎ ｓｉｌｉｃｏｎ ｍｉｅｒｏｆａｂｒｉｅａｔｉｏｎ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ［Ｊ］．ＩＥＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｓｅｌｅｃｔｅｄ Ｔｏｐｉｃｓ ｉｎ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，２００５，１ １（１）：２３２－２４０． ［２］ Ｖｉｌｓｏｎ Ｒ Ａｌｍｅｉｄａ，Ｑｉａｎ ｆａｎ Ｘｕ，Ｍｉｅｈａｌ Ｌｉｐｓｏｎ，ｅｔ ａ１． Ｇｕｉｄｉｎｇ ａｎｄ ｃｏｎｆｉｎｉｎｇ ｌｉｇｈｔ ｉｎ ｖｏｉｄ ｎａｎｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ［Ｊ］． Ｏｐｔｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，２００４，２９（１１）：１２０９—１２１１． ［３］ Ｆｅｉｆｅｉ Ｈｕ，Ｈｕａｘｉａｎｇ Ｙｉ，Ｚｈｉｐｉｎｇ Ｚｈｏｕ．Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ ｄｅｍｕｌ— ｔｉｐｌｅｘｉｎｇ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｂａｓｅｄ ｏｎ ａｒｒａｙｅｄ ｐｌａｓｍｏｎｉｃ ｓｌｏｔ ｃａｖｉｔｉｅｓ ［Ｊ］．Ｏｐｔｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，３６（８）：１５００—１５０２． ［４］Ｊｕｎ ｌｏｎｇ Ｋｏｕ，Ｗｅｉ Ｇｕｏ，Ｆｅｉ Ｘｕ，ｅｔ ａ１．Ｈｉｇｈｌｙ ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｔ ｏｐｔｉｃａｌ－－ｆｉｂｅｒｉｚｅｄ ｓｌｏｔ ｗａｖｅ・－ｇｕｉｄｅ ｆｏｒ ｍｉｎｉａｔｕｒｅ ｐｏｌａｒｉｍｅｔｒｉｃ ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ ｓｅｎｓｏｒｓ：ａ ｐｒｏｐｏｓａｌ［Ｊ］．Ｓｅｎｓｏｒｓ Ｊｏｕｒｎａｌ， ２０１１ １２（６）：１６８１—１６８５． ［５］ Ａｌｉｒｅｚａ Ｋａｒｇａｒ，Ｃｈｕｎｇ—Ｙｅｎ Ｃｈａｏ．Ｄｅｓｉｇｎ ａｎｄ ｏｐｔｉｍｉｚａ— ｔｉｏｎ ｏｆ ｗａｖｅｇｕｉｄｅ ｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ ｉｎ ｓｌｏｔ ｍｉｃｒｏｒｉｎｇ ｓｅｎｓｏｒｓ［Ｊ］． Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｏｆ Ａｍｅｒｉｃａ Ａ，２０１１，２８ （４）：５９６－６０３． ［６］Ｔｏｍ Ｂａｅｈｒ—Ｊｏｎｅｓ，Ｂｏｙａｎ Ｐｅｎｋｏｖ，Ｊｉｎｇｑｉｎｇ Ｈｕａｎｇ，ｅｔ ａ１． Ｎｏｎｌｉｎｅａｒ ｐｏｌｙｍｅｒ—ｃｌａｄ ｓｉｌｉｃｏｎ ｓｌｏｔ ｗａｖｅｇｕｉｄｅ ｍｏｄｕｌａｔｏｒ ｗｉｔｈ ａ ｈａｌｆｗａｖｅ ｖｏｈａｇｅ ｏｆ０．２５ Ｖ［Ｊ］．Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，２００８，９２（１６）：１６３３０３・１６３３０６． ［７］Ｄａｏｘｉｎ Ｄａｉ，Ｚｈｉ Ｗａｎｇ，Ｊｏｈｎ Ｅ Ｂｏｗｅｒｓ．Ｕｌｔｒａｓｈｏｒｔ ｂｒｏａｄ— ｂａｎｄ ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ ｂｅａｍ ｓｐｌｉｔｔｅｒ ｂａｓｅｄ ｏｎ ａｎ ａｓｙｍｍｅｔｒｉｃａｌ ｄｉｒｅｃｔｉｏｎａｌ ｃｏｕｐｌｅｒ［Ｊ］．Ｏｐｔｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，２０１１，３６（１３）： ２５９０－２５９２． ［８］ Ｃｈｅｎ Ｙａｏ，Ｈｅｉｎｚ—Ｇｕｎｔｅｒ Ｂａｃｈ，Ｒｕｉｙｏｎｇ Ｚｈａｎｇ，ｅｔ ａ１．Ａｎ ｕｌｔｒａｃｏｍｐａｃｔ ｍｕｈｉｍｏｄｅ ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ ｓｐｌｉｔｔｅｒ ｅｍｐｌｏｙｉｎｇ ａｓｙｍｍｅｔｉｒｃａｌ ｍｕｈｉ—ｓｅｃｔｉｏｎ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ［Ｊ］． Ｏｐｔｉｃｓ Ｅｘｐｒｅｓｓ，２０１２，２０（１６）：１８２４８—１８２５３． ［９］ Ｙｏｎｇｈａｏ Ｆｅｉ，Ｌｉｂｉｎ Ｚｈａｎｇ，Ｔｏｎｇｔｏｎｇ Ｃａｏ，ｅｔ ａ１．Ｈｉｇｈ ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ ｂｒｏａｄｂａｎｄ ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ ｂａｓｅｄ ｏｎ ｔａｐｅｒｅｄ ｓｌｏｔ ｗａｖｅｇｕｉｄｅ［Ｊ］．ＩＥＥＥ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｌｅｔｔｅｒｓ，２０１３，２５（９）：８７９—８８１． ［１０］ Ｆｒａｎｃｉｓｃｏ Ｊ Ｇｏｎｚａｌｅｚ，Ｊａｖｉｅｒ Ａｌｄａ．Ｏｐｔｉｃａｌ ｎａｎｏａｎｔｅｎｎａｓ ｃｏｕｐｌｅｄ ｔｏ ｐｈｏｔｏｎｉｃ ｃｒｙｓｔａｌ ｃａｖｉｔｉｅｓ ａｎｄ ｗａｖｅｇｕｉｄｅｓ ｆｏｒ ｎｅａｒ—ｉｆｅｌｄ ｓｅｎｓｉｎｇ［Ｊ］．ＩＥＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｓｅｌｅｃｔｅｄ Ｔｏｐｉｃｓ ｉｎ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，２０１０，１６（２）：４４６－４４９． ［１１］ ＫＡ Ａｔｌａｓｏｖ，Ｍｉｌａｎ Ｃａｌｉｃ，Ｋａｒｌ Ｆｒｅｄｒｉｋ Ｋａｒｌｓｓｏｎ，ｅｔ ａ１． Ｐｈｏｔｏｎｉｃ・－ｃｒｙｓｔｌａ ｍｉｃｒｏｃａｖｉｔｙ ｌａｓｅｒ ｗｉｔｈ ｓｉｔｅ—ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ ｑｕａｎｔｕｍ—ｗｉｒｅ ａｃｔｉｖｅ ｍｅｄｉｕｍ［Ｊ］．Ｏｐｔｉｃｓ Ｅｘｐｒｅｓｓ， ２００９，１７（２０）：１８１７８－１８１８３． ［１２］ Ｓｈｏｕｙｕａｎ Ｓｈｉ，Ｃａｉｈｕａ Ｃｈｅｎ，Ｄｅｎｎｉｓ Ｗ Ｐｒａｔｈｅｒ．Ｐｌａｎｅ— ｗａｖｅ ｅｘｐａｎｓｉｏｎ ｍｅｔｈｏｄ ｆｏｒ ｃａｌｃｕｌａｔｉｎｇ ｂａｎｄ ｓｔｕｒｃｔｕｒｅ ｏｆ ｐｈｏｔｏｎｉｃ ｃｒｙｓｔｌａ ｓｌａｂｓ ｗｉｔｈ ｐｅｒｆｅｃｔｌｙ ｍａｔｃｈｅｄ ｌａｙｅｒｓ［Ｊ］． Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｏｆ Ａｍｅｒｉｃａ Ａ，２００４，２１ （９）：１７６９－１７７５． ［１３］ Ｊｕｎ Ｓｈｉｂａｙａｍａ，Ａｔｓｕｓｈｉ Ｙａｍａｈｉｒａ，Ｔａｋａｎｏｒｉ Ｍｕｇｉｔａ，ｅｔ ａ１．Ａ ｆｉｎｉｔｅ—ｄｉｆｆｅｒｅｎｃｅ ｔｉｍｅ—ｄｏｍａｉｎ ｂｅａｍ—ｐｒｏｐａｇａｔｉｏｎ ｍｅｔｈｏｄ ｆｏｒ ＴＥ—ａｎｄ ＴＭ—ｗａｖｅ ａｎａｌｙｓｅｓ『Ｊ］．Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｌｉｇｈｔｗａｖｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，２００３，２１（７）：１７０９—１７１５． ［１４］ Ｃａｒｌｏｓ Ａｎｇｕｌｏ Ｂａｒｒｉｏｓ．Ｏｐｔｉｃａｌ ｓｌｏｔ－ｗａｖｅｇｕｉｄｅ Ｂａｓｅｄ Ｂｉｏｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｅｎｓｏｒｓ［Ｊ］．Ｓｅｎｓｏｒｓ，２００９，９（６）： ４７５】＿４７６５．
